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高性能、低功耗60W GaN快充方案 RM6801SN+RM3410T

来源:陕西亚成微电子股份有限企业 发布时间:2020-12-11 阅读次数:

高性能、低功耗60W GaN快充方案 RM6801SN+RM3410T

 

1.方案先容

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亚成微基于ZVS反激电源控制芯片RM6801SN+高性能同步整流芯片RM3410T的高性能、低功耗60W 氮化镓(GaN)快充方案,具有体积小、效率高(效率Max >93%)、待机功耗低(功耗<60mW)、系统功能完备等特点。方案采用亚成微专有ZVS技术降低GaNFET开关损耗,改善EMI特性。专有驱动技术,直驱E-MODE GaN功率器件,省去外置驱动器件,并通过高度集成的芯片设计以及巧妙的结构组合,实现了精简的外围电路和紧凑的PCB布局,有效的提高了产品效率及功率密度,帮助快充电源厂商加速高性能大功率快充量产并节省物料成本。


2.方案特点

■ 输出规格:5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3A;

■ 效率(Max)>93%,待机功耗<60mW,满足六级能效标准,EMI特性优良;

■ 专有ZVS技术降低MOSFET开关损耗,改善EMI特性;

■ 采用专有驱动技术,直驱E-MODE GaN功率器件,省去外置驱动器件,提高产品效率及功率密度;

■ 支撑CCM/QR混合模式;

■ 支撑最大140KHz工作频率;

■ 内置700V高压启动,集成X-CAP放电功能;

■ 低启动电流和低工作电流设计;

■ 内置特有抖频技术改善EMI;

■ Burst Mode去噪音;

■ 集成斜坡补偿及ZVS高低压补偿功能;

■ 集成AC输入Brown out/in功能;

■ 外置OVP保护,具有输出肖特基短路保护/CS短路保护;

■ 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。


3.方案原理图




4.方案BOM

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5.待机功耗



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6.能效测试

5V/3A能效测试

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9V/3A能效测试

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12V/3A能效测试

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15V/3A能效测试

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20V/3A能效测试

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7.老化及温升测试



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8.ZVS测试

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9.EMI测试


5V/3A(L)

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5V/3A(N)


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20V/3A(L)

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20V/3A(N)

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